Команда вчених з Китаю презентувала новий тип флеш-пам’яті під назвою PoX (Phase-change memory with Oxide switching), яка здатна досягати небаченої швидкості — 25 мільярдів операцій на секунду. Це в 100 000 разів швидше, ніж попередній рекорд у цій технологічній категорії.
Про це пише interestingengineering.
Поточна розробка може мати фундаментальне значення, зокрема для штучного інтелекту, що стрімко розвивається. Моделі ІІ стають все більш складними та масштабними, обчислювальної потужності потрібно все більше, і тому існуючі технології пам’яті можуть перестати бути такими ж ефективними як раніше.
Традиційні енергозалежні ЗУ на зразок статичної та динамічної оперативної пам’яті мають відмінну швидкість — зазвичай запис даних проводиться менш ніж за наносекунду — проте вся збережена інформація при відключенні живлення втрачається.
Енергонезалежні запам’ятовуючі пристрої типу флеш-пам’яті зберігають дані при відключенні живлення і споживають менше енергії, проте працюють повільно – для доступу до даних потрібно кілька мікросекунд або мілісекунд.
Вчені з Університету Фудань під керівництвом професора Чжоу Пена вирішили усунути розрив у продуктивності накопичувачів. Для цього вони переосмислили фізичну структуру флеш-пам’яті. При розробці PoX вчені замість кремнію використовували графен – матеріал, що має високу електропровідність – і реалізували структуру зон Дірака. Для цього вони впровадили механізм так званої «суперінжекції», тобто практично необмежений потік зарядів у шар, що запам’ятовує. За допомогою нього вдалося зняти обмеження на швидкість, які були в незалежній пам’яті протягом десятиліть.
Крім виробництва більш продуктивної побутової електроніки, у нової технології є безліч інших областей застосування. У сфері ІІ швидкість, з якою дані можуть бути оброблені, є ключовим показником загальної продуктивності обчислень. енергоспоживання PoX може забезпечити обробку великого масиву даних у реальному часі, а також заощадити електроенергію для переміщення даних, що є одним із основних недоліків сучасного обладнання ІІ.