Фото - freepik
Щоденне використання телефону може стати прихованою причиною постійних висипань, акне та подразнень на обличчі.
Дійсно, за даними дослідження вчених з Університету Арізони, на телефонах може міститися в 10 разів більше бактерій, ніж на стандартному сидінні унітазу. Вчені встановили, що на одному смартфоні — до 25 000 бактерій на 2,5 см² (1 кв. дюйм).
Це пов’язано з кількома основними факторами:
1. Бактерії на екрані
Смартфони — це справжні розсадники мікробів. Дослідження показують, що екран телефону може містити більше бактерій, ніж сидіння унітазу. Під час розмови ці мікроорганізми потрапляють на шкіру обличчя, що може провокувати запалення, акне або інші шкірні реакції.
2. Тертя та тиск
Частий контакт телефону зі щокою або підборіддям викликає механічне подразнення (особливо під час довгих розмов). Це явище називається механічним акне або акне від тиску.
3. Перенесення шкірного сала
Пальці, якими ми торкаємось обличчя, клавіатури, їжі тощо, переносять жир і бруд на екран, а звідти — на шкіру. Це може закупорювати пори.
4. Нагрівання телефону
Тепло, яке виділяється під час тривалого використання, сприяє потовиділенню в місці контакту, що може провокувати подразнення і утворення прищів.
Серед поширених мікроорганізмів, які вчені знаходять на екранах смартфонів:
Стафілококи — викликають запалення, нагноєння та акне.
Стрептококи — здатні провокувати шкірні інфекції.
Кишкова паличка — її наявність особливо небезпечна й свідчить про серйозне забруднення.
Легенда про золото Полуботка живе вже три століття: тонни золота в Банку Англії, неймовірні відсотки…
З 1 грудня 2025 року Київстар оновлює умови «Роумінгу як вдома» для контрактних абонентів: безлімітні…
Магнітні бурі 18 листопада 2025 року: NOAA SWPC прогнозує повну геомагнітну тишу (G0), тоді як…
Підводні археологи з університету Миколая Коперника в Торуні знайшли чотири прекрасно збережені середньовічні списи X–XI…
Змови, отруєння, політичні перевороти та боротьба за булаву — справжнє життя гетьманів XVII–XVIII століть було…
NOAA SWPC прогнозує геомагнітні умови рівня G4 напередодні та помірну активність 15 листопада 2025 року.…